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由電磁波引起的電磁干擾和電磁屏蔽問題已日益突出。另一方面，電磁波已成為新的環(huán)境污染源，僅次于水污染，空氣污染和噪聲污染，成為第四大污染源。電磁輻射是一種無色，無味，無形，無處不在的污染源，具有很高的危害性且難以保護。電子行業(yè)在各個領域的迅速發(fā)展所帶來的電磁輻射問題已引起全社會對電磁屏蔽的重要性和需求的極大關注。高性能電磁屏蔽材料和屏蔽結(jié)構(gòu)的研究與開發(fā)已經(jīng)成為世界范圍內(nèi)的重要課題。

為了確保通過微弧氧化制備的陶瓷膜的綜合機械性能，應在微弧氧化處理之前對樣品表面進行預處理。微弧氧化是一種在特定的電解質(zhì)和電場條件下在輕金屬中原位生長陶瓷膜的新技術(shù)。通過微弧氧化處理形成的陶瓷氧化膜與基板冶金結(jié)合，并且膜層致密，并且具有良好的耐磨性和耐腐蝕性。微弧氧化處理工藝簡單，流程短。

下面就由解析微弧氧化有哪些工藝流程吧！為保證微弧氧化后制得陶瓷膜的綜合力學性能，在微弧氧化處理前要對試樣表面進行預處理。

微弧氧化又稱等離子體電解氧化、微等離子體氧化等，是通過電解液與相應電參數(shù)的組合，在鋁、鎂、鈦等金屬及其合金表面依靠弧光放電產(chǎn)生的瞬時高溫高壓作用，原位生長出以基體金屬氧化物為主的陶瓷膜層。微弧氧化與陽極氧化不同，所需溫度范圍較寬。由于微弧氧化以熱能形式釋放，所以液體溫度上升較快，微弧氧化過程須配備容量較大的熱交換制冷系統(tǒng)以控制槽液溫度。微弧氧化過后，工件可不經(jīng)過任何處理直接使用，也可進行封閉，電泳，拋光等后續(xù)處理。

鋁合金微弧氧化又稱等離子體微弧氧化，等離子體陶瓷化或火花放電沉積技術(shù)。為此微弧氧化膜的硬度和耐磨性都得到明顯提高，其耐腐蝕性和電絕緣性也隨之有較大的提高。在微弧氧化過程中，化學氧化、電化學氧化、等離子體氧化同時存在,因此陶瓷層的形成過程非常復雜,至今還沒有一個合理的模型能全面描述陶瓷層的形成。經(jīng)測試，微弧氧化膜的最大厚度可達到200-300μm。

由于表面氧化膜具有較高的孔隙率和吸附性能，它很容易受到污染，所以陽極氧化后，應對膜層進行封閉處理，以提高膜層的耐蝕性，耐磨性以及絕緣性。常用的封閉方法有：。故可認為是填充及水化雙重封閉作用。通常使用的封閉溶液是5～10%的重鉻酸鹽水溶液，操作溫度為90～95℃，封閉時間為30分鐘，溶液中不得有氯化物或硫酸鹽。

微弧氧化(MAO)也被稱為等離子體電解氧化( PEO),是從陽極氧化技術(shù)的基礎上發(fā)展而來的,形成的涂層優(yōu)于陽極氧化.微弧氧化工藝主要是依靠電解液與電參數(shù)的匹配調(diào)節(jié),在弧光放電產(chǎn)生的瞬時高溫高壓作用下,于鋁,鎂,鈦等.

微弧氧化工藝將工作區(qū)域由普通陽極氧化的法拉第區(qū)域引入到高壓放電區(qū)域,克服了硬質(zhì)陽極氧化的缺陷,極大地提高了膜層的綜合性能.微弧氧化膜層與基體結(jié)合牢固,結(jié)構(gòu)致密,韌性高,具有良好的耐磨,耐腐蝕,耐高溫沖擊和電絕緣等特性.